EDA與制造相關文章 消息稱美國8月將升級對華半導體限制 傳美國將升級對華半導體限制：120個中國實體將被禁，涉及晶圓廠、設備商、EDA廠商！ 發表于：8/1/2024 美國推遲對中國電動汽車等產品加征關稅 8 月 1 日消息，美國計劃對中國進口電動汽車征收 100% 關稅的政策不僅澆滅了極氪、比亞迪等中國車企進軍美國市場的熱情，也給美國本土汽車制造商帶來了不小的麻煩，原本計劃于 2025 年和 2026 年進入美國市場的別克 Electra E5 和 E4 車型因關稅問題被迫擱置。 發表于：8/1/2024 美光宣布量產第九代TLC NAND閃存技術 美光宣布量產第九代TLC NAND閃存技術：寫入速度比競品快99%！ 發表于：8/1/2024 二季度開始Intel每月為NVIDIA生產5000塊晶圓 Intel從二季度開始，每月可為NVIDIA生產5000塊晶圓 發表于：8/1/2024 消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產就緒許可 7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產許可，對平澤 P4 工廠的產線建設規劃造成了影響。 三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實現量產，對應的 QLC 版本則將于今年下半年進入量產階段。 然而直到現在，三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達 PRA（IT之家注：應指 Production Readiness Approval）量產就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務器存儲需求的熱點。 明星產品前景不明，使得三星電子內部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產存在不同聲音。 發表于：8/1/2024 消息指SK海力士400+層閃存明年末量產就緒 消息指 SK 海力士加速 NAND 研發，400+ 層閃存明年末量產就緒 發表于：8/1/2024 消息稱英特爾挖角臺積電工程師 消息稱英特爾挖角臺積電工程師，芯片代工競爭加劇 發表于：7/31/2024 英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元 英特爾宣布將俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元！ 發表于：7/31/2024 工信部發布2024新版工業機器人行業規范條件和管理實施辦法 工信部發布 2024 新版工業機器人行業規范條件和管理實施辦法，8 月起實施 發表于：7/31/2024 傳美光GDDR6X模塊質量問題影響英偉達RTX 40出貨 傳美光GDDR6X模塊質量問題影響英偉達RTX 40出貨 發表于：7/31/2024 Alphawave推出業界首款支持臺積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP Alphawave推出業界首款支持臺積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP 發表于：7/31/2024 消息指臺積電最快2028年A14P制程引入High NA EUV光刻技術 消息指臺積電最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技術 發表于：7/30/2024 SK海力士推出全球最高性能GDDR7 SK 海力士推出全球最高性能 GDDR7，相比上代運行速度提升 60% 發表于：7/30/2024 歐盟建晶圓廠補貼進展緩慢 英特爾和臺積電已經根據美國《芯片與科學法案》分別獲得85億美元和66億美元的巨額補貼，用于在美國國內建晶圓廠。與此同時，旨在支持歐洲半導體產業的《歐洲芯片法案》卻動作遲緩，至今英特爾和臺積電的歐洲建廠補貼均未獲批。 邀請英特爾和臺積電投資的德國因歐盟委員會的猶豫不決而面臨延誤。盡管德國已為英特爾撥款100億歐元，為臺積電撥款50億歐元，但仍有待歐盟最終批準。德國官員警告稱，如果得不到及時批準，英特爾2024年底開工的計劃可能會受到威脅。 歐盟緩慢的審批程序與美國《芯片法案》形成鮮明對比，后者自2024年初以來迅速撥付補貼。這種歐洲官僚主義的拖延招致批評，德國智庫Interface的專家認為，由于建設延誤和挫折，歐盟在2030年前實現其半導體市場份額20%的目標已經越來越難以實現。 發表于：7/30/2024 國芯新一代汽車電子高性能MCU新產品流片測試成功 7月29日消息，據蘇州國芯科技官網介紹，近日，由國芯科技研發的新一代汽車電子高性能MCU新產品CCFC3012PT流片和測試成功。 據悉，國芯科技本次內部測試成功的汽車電子高性能MCU新產品CCFC3012PT是基于公司自主PowerPC架構C*Core CPU內核研發的新一代多核MCU芯片。 適用于智能化汽車輔助駕駛、智能座艙以及高集成度域控制器等應用，可以更好地滿足客戶更高算力、更高信息安全等級和更高功能安全等級的應用需求。 發表于：7/30/2024 ?…100101102103104105106107108109…?
