EDA與制造相關文章 美光：HBM內存消耗3倍晶圓量 美光：HBM 內存消耗 3 倍晶圓量，明年產能基本預定完畢 發表于：3/22/2024 意法半導體宣布聯手三星推出18nm FD-SOI工藝 意法半導體宣布聯手三星推出 18nm FD-SOI 工藝，支持嵌入式 PCM 發表于：3/22/2024 中國已連續8年成為世界最大工業機器人市場 遠超預期 根據美國研究機構ITIF 3月最新分析，雖然美國產業創新享有盛譽，但在機器人創新方面，中國企業成為領先者只是時間問題。近年來在推動工廠數字化、智慧化之下，中國已連續8年成為全球最大的工業機器人市場。ITIF統計，中國目前機器人的應用比例是此前業內專家預測的12.5倍。 ITIF分析全球機器人創新數據，如科學論文和專利，并對四大中國機器人公司進行研究，同時與中國機器人產業全球專家進行訪談和會議。最終得出結論：中國當前尚未成為機器人創新的領導者，但其在國內生產和應用正在快速增長，中國政府也將發展機器人作為優先事項。因此，中國機器人公司達到世界領先地位可能只是時間問題。 發表于：3/22/2024 國產磁流體拋光機亮相，超精密光學加工不再被“卡脖子” 國產磁流體拋光機亮相，超精密光學加工不再被“卡脖子” 發表于：3/22/2024 新思科技攜手英偉達釋放下一代EDA潛能 加利福尼亞州桑尼維爾，2024年3月20日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布與英偉達（NVIDIA）強強聯手，借助人工智能和加速計算技術大幅提升芯片設計效率，加速汽車原型創新。雙方已合作三十余載，此次合作在英偉達全球GTC人工智能大會上正式宣布。 新思科技全球總裁兼首席執行官Sassine Ghazi表示：“新思科技長期致力于以全球領先的技術助力開發團隊攻克各種前所未有的技術挑戰。如今，我們將利用人工智能和加速計算等先進技術，將這一目標和承諾提升到一個全新高度。在英偉達GH200 Grace Hopper?超級芯片的加持下，新思科技EDA全套技術棧的性能顯著提升。與此同時，我們與英偉達的全新合作也將助力芯片到汽車系統技術研發團隊大幅提升團隊的創新潛力。” 發表于：3/21/2024 格創東智完成AMHS收購簽約 3月20日,格創東智AMHS業務啟動暨產品發布會在SEMICON China 2024展會現場成功舉行。會上,格創東智完成對耘德有限公司、江蘇睿新庫智能科技有限公司的戰略收購簽約。 發表于：3/21/2024 美國政府宣布計劃向英特爾提供近200億美元激勵 3 月 20 日消息，美國商務部 3 月 20 日宣布，美國政府與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據美國《芯片與科學法案》向后者提供至多 85 億美元（當前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當前約 792 億元人民幣）貸款，以擴大其高端芯片制造產能。英特爾正尋求在芯片領域重新確立在美國的領導地位，并與臺積電和三星等公司競爭。 發表于：3/21/2024 三星：最快2年奪回全球芯片市場第一 3月20日消息，據媒體報道，三星電子在周三舉行的年度股東大會上放下豪言，表示目標是在最快2-3年內重新奪回全球芯片市場的第一位置。 據悉，三星電子計劃在未來幾年內通過一系列的戰略舉措來實現這一目標。 首先，三星預計公司的DS（Device Solutions）部門的銷售額將在2024年恢復到2022年水平，這將為公司重返全球芯片市場第一奠定基礎。 除了恢復銷售額外，三星還宣布將在所有設備中廣泛采用人工智能技術，通過提升人工智能能力，他們積極尋求涉足汽車零部件、機器人和數字健康領域的新業務。一。 發表于：3/21/2024 SEMI：300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元 SEMI：300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元 國際半導體產業協會（SEMI）3月19日發布《2027年300mm晶圓廠展望報告》。報告顯示，由于存儲器市場的復蘇以及高性能計算、汽車應用的強勁需求，全球應用于前道工藝的300mm晶圓廠設備投資，預計將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達到創紀錄的1370億美元。 SEMI預測，2025年全球300mm晶圓廠設備投資將增長20%至1165億美元，2026年增長12%至1305億美元，2027年將將繼續增長5%至1370億美元。 發表于：3/21/2024 SEMICON China 2024｜ASMPT攜奧芯明展出先進半導體設備 2024年3月20日,中國上海——今天,國內領先的半導體設備供應商奧芯明亮相SEMICON China 2024。作為ASMPT全球技術網絡的一部分,奧芯明以中國設備廠商的身份首次參加了本屆SEMICON China。此次展會上,奧芯明攜手ASMPT在N3館展示了多款針對高質量、高精度芯片封裝的先進設備。 發表于：3/20/2024 基于SIP技術的固態硬盤電路設計 存儲系統小型化、高性能需求與日俱增，為此設計了一款基于SiP技術的固態硬盤電路，用于驗證存儲系統SiP電路的可行性。該SiP電路內部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數據存儲的NAND顆粒、用于固件存儲的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺上進行底層ATA指令驗證以及與傳統分離式存儲系統的對比性能測試，證明了應用SiP技術的存儲系統具備高性能、小型化、低功耗等諸多優勢，為后續SiP存儲系統的設計和驗證奠定了一定的技術基礎。 發表于：3/20/2024 Flash陣列無效塊管理 Flash陣列在當今數據存儲領域占據著重要地位，提高Flash陣列可靠性的關鍵在于提出合理的壞塊管理方法。針對固有壞塊，提出基于整合塊的壞塊管理方法和基于EEPROM查找表的壞塊管理方法。對于在使用過程中出現的突發壞塊，提出基于頁跳過和頁替換的突發壞塊管理方法。經過實驗分析表明壞塊管理方法提高了NAND Flash數據存儲的可靠性，在保證存儲速度的情況下對NAND Flash存儲空間得到最大化利用。 發表于：3/20/2024 亞智科技 RDL先進制程加速全球板級封裝部署和生產 化學濕制程、電鍍及自動化設備領導供應商Manz亞智科技，以RDL不斷精進的工藝布局半導體封裝市場。日前，Manz擴大RDL 研發版圖，聚焦于高密度的玻璃通孔及內接導線金屬化工藝，并將技術應用于下一代半導體封裝的TGV玻璃芯基材，能夠達到更高的封裝效能及能源傳遞效率外，還可透過板級制程，滿足高效率和大面積的生產，從而降低生產成本。 發表于：3/20/2024 消息稱臺積電今年著力提升3nm產能 3 月 19 日消息，據臺媒《經濟日報》報道，臺積電今年將全力擴增 3nm 產能，預計年底前該工藝的利用率將提升至 80%。 臺積電 3nm 制程技術已拿下蘋果、高通、聯發科等大廠的訂單，業界預期臺積電還將轉移部分 5nm 產能至該節點以滿足客戶需求，這意味著臺積電在 3nm 制程世代完勝三星、英特爾等競爭企業。 展望未來 2nm 制程世代，臺積電預計將從 2025 年開始提供相關晶圓代工服務，總共涉及至少五座廠區。 臺積電總裁魏哲家先前在財報會議上表示，全球主要大廠中僅有一家不是臺積電 2nm 制程客戶。外界推測這一客戶指的是三星電子，但總體看來，臺積電仍將在 2nm 制程世代占據優勢。 發表于：3/20/2024 臺積電和英特爾供應商推遲在美國亞利桑那州建廠 3 月 19 日消息，據日經新聞報道，由于建筑成本上升和勞動力短缺，臺積電和英特爾的五家供應商推遲或縮減了其在亞利桑那州的建設項目。這一挫折與供應商最初的計劃背道而馳，此前他們計劃跟隨英特爾和臺積電在該州新建芯片生產設施的計劃進行建設。 臺積電和英特爾供應商推遲在美國亞利桑那州建廠 發表于：3/20/2024 ?…106107108109110111112113114115…?
