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富士通2nm CPU仍交由臺積電代工

6月24日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本富士通（Fujitsu）目前正研發(fā)2nm CPU “MONAKA”，預計將交由臺積電代工生產(chǎn)。不過，富士通也表示，日本初創(chuàng)晶圓代工企業(yè)Rapidus 對于確保供應鏈穩(wěn)定性來說非常有用。據(jù)了解，富士通Monaka是一款面向數(shù)據(jù)中心的處理器，采用基于臺積電的CoWoS-L封裝技術的博通3.5D XDSiP技術平臺，擁有36個計算小芯片。其中主要的CPU計算核心基于Armv9指令集，擁有144個CPU內(nèi)核，采用臺積電2nm制程制造，并使用混合銅鍵合（HCB）以面對面（F2F）方式堆疊在 SRAM tiles 上（本質(zhì)上是巨大的緩存）。SRAM tiles是基于臺積電的5nm工藝制造的。計算和緩存堆棧伴隨著一個相對巨大的 I/O 芯片，該芯片集成了內(nèi)存控制器、頂部帶有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以連接加速器和擴展器，以及人們期望從數(shù)據(jù)中心級 CPU 獲得的其他接口。

發(fā)表于：6/24/2025

西門子宣布計劃在重慶建立創(chuàng)新研發(fā)中心

6 月 23 日消息，西門子中國今日發(fā)文，當?shù)貢r間 6 月 19 日，重慶市委書記袁家軍與中國駐德國大使鄧洪波一行，到訪西門子總部（柏林），并與西門子董事會主席、總裁兼首席執(zhí)行官博樂（Roland Busch）、西門子中國董事長、總裁兼首席執(zhí)行官肖松等管理層進行會談。雙方圍繞中德產(chǎn)業(yè)共創(chuàng)共贏、西門子與重慶戰(zhàn)略合作深化、創(chuàng)新能力共建等話題進行了深入交流。

發(fā)表于：6/24/2025

英特爾公布18A工藝節(jié)點技術細節(jié)

6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規(guī)模集成電路技術與電路研討會（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節(jié)點技術細節(jié)。

發(fā)表于：6/23/2025

美國半導體制造商Wolfspeed將申請破產(chǎn)重組

6 月 23 日消息，美國北卡羅來納州的電動汽車半導體制造商 Wolfspeed 宣布，已與債權人達成協(xié)議，作為破產(chǎn)重組計劃的一部分，將其近 65 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 466.76 億元人民幣）的債務削減 70%。

發(fā)表于：6/23/2025

傳聯(lián)電計劃收購彩晶南科廠以發(fā)展先進封裝

近日市場傳出消息稱，晶圓代工大廠聯(lián)電有意在南科收購瀚宇彩晶廠房。對此，聯(lián)電響應表示，對于市場傳言不予評論。不過針對未來在中國臺灣產(chǎn)能規(guī)劃，聯(lián)電指出，目前已在新加坡建置2.5D先進封裝產(chǎn)能，并已將部分制程拉回中臺灣，不排除未來在臺擴廠的可能。未來將依據(jù)業(yè)務發(fā)展與整體策略，搭配既有的晶圓對晶圓鍵合（Wafer to Wafer Bonding）技術，持續(xù)在臺灣推進更完整的先進封裝解決方案。聯(lián)電目前于南科設有Fab 12A廠，于2002年開始量產(chǎn)，現(xiàn)已導入14nm制程，提供客戶高階定制化制造。據(jù)業(yè)界信息指出，聯(lián)電正洽談購置Fab 12A廠對面的彩晶廠房，未來可能規(guī)劃用于發(fā)展先進封裝產(chǎn)能。

發(fā)表于：6/23/2025

美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免”

美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免” 6月20日，據(jù)《華爾街日報》援引知情人士的話報道稱，負責美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）的商務部副部長杰弗里·凱斯勒（Jeffrey Kessler）已經(jīng)通知三星電子、SK海力士、臺積電等在中國大陸擁有晶圓廠的晶圓制造商，美國計劃取消允許它們在中國使用美國技術（主要是半導體設備）的豁免。

發(fā)表于：6/23/2025

消息稱軟銀構想在美國建設萬億美元超級科技工業(yè)綜合體

6 月 20 日消息，彭博社早些時候報道稱，軟銀創(chuàng)始人孫正義構想在美國亞利桑那州建設一個價值萬億美元的工業(yè)綜合體，覆蓋從 AI 到工業(yè)機器人的多樣化產(chǎn)業(yè)。

發(fā)表于：6/20/2025

消息稱三星緊急開會檢討為何錯失谷歌Tensor訂單

6 月 19 日消息，谷歌計劃在今年晚些時候推出旗艦手機 Pixel 10 系列，屆時將首次采用由臺積電量產(chǎn)的 Tensor G5 芯片，而非像往常一樣由三星代工。這款芯片基于臺積電第二代 3nm 制程“N3E”節(jié)點，并采用 InFO-POP 封裝。

發(fā)表于：6/20/2025

中國礦機三巨頭赴美設廠

6月19日消息，據(jù)路透社報道，全球前三大比特幣和加密貨幣礦機制造商比特大陸、嘉楠耘智和比特微電子為規(guī)避美國關稅政策影響，都計劃在美國設立制造工廠并建立供應鏈。 “礦機”市場持續(xù)增長，中國廠商占據(jù)壟斷地位隨著近年來加密貨幣市場的持續(xù)增長，以及具有代表性的比特幣價格突破10萬美元，市場對于虛擬貨幣礦機的需求也是非常的旺盛。根據(jù)分析師的預測，到 2028 年，礦機行業(yè)的價值將達到 120 億美元。

發(fā)表于：6/20/2025

英特爾董事稱蝕刻技術將取代光刻成芯片制造核心

6月20日消息，據(jù)媒體報道，英特爾一位董事提出，未來晶體管設計（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造對先進光刻設備（尤其是EUV光刻機）的依賴。這一觀點挑戰(zhàn)了當前先進芯片制造的核心范式。目前，ASML的極紫外（EUV）光刻機是制造高端芯片（如7nm及以下節(jié)點）的關鍵設備，它負責將極其微小的電路設計“打印”到硅晶圓上。然而，該董事認為，像環(huán)繞柵極場效應晶體管（GAAFET）和互補場效應晶體管（CFET）這樣的新型設計，將顯著增加光刻之后制造步驟（特別是刻蝕技術）的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導地位。芯片制造流程始于光刻——將設計圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面。隨后通過沉積添加材料，并通過刻蝕選擇性地去除材料，最終形成晶體管和電路結構。

發(fā)表于：6/20/2025

臺積電前高管蔣尚義：遺憾在位時沒能打敗英特爾！

6月19日消息，近日，鴻海董事、前臺積電首席運營官蔣尚義，在一場高峰對話中分享了他對臺積電發(fā)展的回顧與展望。他表示自己在產(chǎn)業(yè)工作50年，最遺憾的是沒有打敗英特爾，不過他從臺積電退休后，臺積電很快就做到了，他幽默地說，“早知道就晚兩年退休了”。蔣尚義回憶稱，臺積電在2000年前并不出名，技術甚至落后同業(yè)2.5代，自1997年起他在臺積電負責研發(fā)，臺積電逐漸崛起，成為全球知名的半導體代工巨頭。

發(fā)表于：6/20/2025

電路板打樣完整指南：從零開始輕松搞懂PCB生產(chǎn)全流程

在現(xiàn)代電子產(chǎn)品高速迭代的浪潮中，電路板打樣是連接設計理念與實體硬件的關鍵橋梁。對于每一位電子工程師和采購負責人而言，深入理解其背后的生產(chǎn)流程，不僅是確保產(chǎn)品質(zhì)量的基礎，更是優(yōu)化設計、控制成本與縮短研發(fā)周期的核心能力。

發(fā)表于：6/20/2025

臺積電“全球擴產(chǎn)”也與臺灣“缺電”有關

據(jù)臺媒報道，晶圓代工龍頭大廠臺積電近年來持續(xù)在美日德擴產(chǎn)，雖然一方面是為了各地政府及客戶對于半導體本地化制造的需求，但另一方面也也與中國臺灣島內(nèi)“缺電”有關。

發(fā)表于：6/20/2025

德州儀器宣布投資超600億美元在美國新設和擴大7座晶圓廠產(chǎn)能

發(fā)表于：6/19/2025

年底將大規(guī)模量產(chǎn) Intel 18A更多技術細節(jié)曝光

今年4月29日，在2025英特爾代工大會（Intel Foundry Direct Connect）上，英特爾正式公布了其最新一代的Intel 18A制程的相關信息，而2025 VLSI超大規(guī)模集成電路研討會最新披露的資料，進一步展示了關于Intel 18A 的更多技術細節(jié)。 Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術，相比此前的 FinFET 技術實現(xiàn)重大飛躍，不僅改進了柵極靜電，單位封裝的寬度更高，單位封裝的寄生電容也更小，靈活性也更高。

發(fā)表于：6/19/2025