EDA與制造相關文章 三星電子公布HBM4E內存規劃 2 月 24 日消息，據韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態電路會議現場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內存路線圖，分享了預設的性能參數目標： 發表于：2/25/2025 臺積電日本子公司第二晶圓廠調整為今年內動工 2 月 24 日消息，據日本熊本縣當地媒體《熊本日日新聞》當地時間 21 日報道，臺積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動工建設時間已從 2025 年一季度調整為 2025 年內，不過該晶圓廠 2027 年投產的計劃沒有發生改變。 發表于：2/25/2025 英特爾首批兩臺ASML高數值孔徑光刻機已投產 2 月 25 日消息，英特爾公司于當地時間周一宣布，其工廠已開始使用 ASML 公司的首批兩臺先進光刻機進行生產。早期數據顯示，這些新型光刻機的可靠性優于舊款機型。 發表于：2/25/2025 消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲的混合鍵合專利 2 月 24 日消息，隨著存儲行業的激烈競爭，推動 NAND 技術不斷進步，一個令人驚訝的消息出現了： 據韓媒 ZDNet 今日報道，三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開始。 報道稱，三星計劃于 2025 年下半年開始大規模生產其 V10 NAND，該產品預計將具有約 420 至 430 層。 報道還提到，三星和 SK 海力士據說正在與長江存儲協商一項專利協議。 發表于：2/25/2025 三星電機已關停昆山工廠退出HDI業務 2 月 24 日消息，據韓聯社，三星電機今日發布的 2024 年審計報告顯示，三星已于去年底完成 15 年歷史的昆山三星電機有限公司清算工作，正式退出高密度互連（HDI）智能手機主板業務。 國家企業信用信息公示系統的記錄也證實了這一變化，顯示昆山三星電機有限公司的企業狀態在去年 10 月 24 日由存續變更為注銷，注銷原因為決議解散。 發表于：2/25/2025 合見工軟成功實現國產首個跨工藝UCIe IP互連 2025年2月24日——中國數字EDA龍頭企業上海合見工業軟件集團有限公司（簡稱“合見工軟”）今日宣布，實現國產首個跨工藝節點的UCIe IP互連技術驗證，在采用臺積電N6和三星SF5工藝制造的UCIe測試芯片之間成功完成互操作性測試，在Die-to-Die (D2D) 場景下支持高達24GT/s的數據傳輸，并進一步突破實現了Chip-to-Chip (C2C)互連應用，達到16GT/s的穩定數據互操作測試。 發表于：2/25/2025 臺積電今年超70%先進封裝產能被英偉達包下 2月24日消息，據臺媒《經濟日報》報道稱，近日業界傳出消息，英偉達（NVIDIA）最新Blackwell構架GPU芯片需求強勁，已包下臺積電今年超過70%的CoWoS-L先進封裝產能，出貨量以每季環比增長20%以上逐季沖高，助力臺積電營運熱轉。 發表于：2/24/2025 臺積電強調2nm制程將如期在下半年量產 2 月 23 日消息，中國臺灣《經濟日報》昨晚報道稱，業界消息稱臺積電 2nm 制程月產今年底前有望達到 5 萬片，甚至有機會邁上 8 萬片。 臺積電對此不予評論，僅強調 2nm 制程技術進展良好，將如期在今年下半年量產。 發表于：2/24/2025 Intel 18A工藝正式開放代工 2月23日消息，Intel官方網站悄然更新了對于18A(1.8nm級)工藝節點的描述，稱已經做好了迎接客戶項目的準備，將在今年上半年開始流片，有需求的客戶可以隨時聯系。 Intel宣稱，這是在北美地區率先量產的2nm以下工藝節點，已經有多達35家行業生態伙伴，涵蓋EDA芯片設計工具、IP知識產權、設計服務、云服務、航空國防等各個領域。 發表于：2/24/2025 三星量產Exynos 2500良率仍低于50% 2月22日消息，據外媒Thebell報道，三星電子已經開始量產新一代旗艦移動處理器Exynos 2500，晶圓測試最早將于 3 月開始，可能將首發于三星今年下半年發布的入門級折疊屏新機Galaxy Z Flip FE。但由于3nm GAA 良率低的問題依然存在，因此目前無法擴大規模，初期的產能只有每月5000片。 發表于：2/24/2025 AMD擬40億美元出售服務器制造工廠 2月23日消息，根據彭博資訊引述知情人士說法報道稱，處理器大廠AMD有意出售此前收購的ZT Systems公司旗下的服務器制造工廠，目前正與一些臺系服務器代工廠洽談中，包括仁寶、英業達、和碩、緯創在內，都已表達有收購意愿。 發表于：2/24/2025 三星將LPDDR5速率提高到12.7Gb/s 2月22日消息，三星電子近日在國際固態電路會議 （ISSCC） 上引入了 LPDDR5 規范的另一項擴展，將數據傳輸速率提高到 12,700 Mb/s （12.7 Gb/s），成為了全球速度最快的 LPDDR5 DRAM。為了提高速度，三星在其 DRAM 芯片（稱為 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM）中添加四相自校準和交流耦合收發器均衡等技術。 發表于：2/24/2025 Silicon Labs獲得德克薩斯州2300萬美元補貼 當地時間2025年2月19日，互聯安全及智能無線技術領導廠商Silicon Labs宣布，其已獲得由《德克薩斯州芯片法案》設立的德克薩斯半導體創新基金 （TSIF） 提供的 2300 萬美元補貼，將支持其在奧斯汀建立新的研發 （R?&D） 實驗室，幫助創造和維持當地就業機會，并加強 Silicon Labs 對維護德克薩斯州中部作為首屈一指的技術中心地位的決心。 發表于：2/24/2025 消息稱三星電子4nm良率已近80% 2 月 21 日消息，韓媒 Newdaily 當地時間昨日報道稱，三星電子的 4nm 先進制程良率已升至接近 80%（未指定芯片尺寸），并在近期陸續獲得了來自中國企業的 ASIC 代工訂單。 報道指出，在先進制程連續遭遇商業困境后三星電子的新管理層調整了先進制程戰略，不再一味地同臺積電展開“納米競賽”，而是將工作重心放在以可靠良率贏得客戶信任上，保障能從非最前沿節點獲得穩定收益，使代工業務在經濟上可持續。 韓媒認為 DeepSeek 近期的火爆也提升中國科技企業開發 AI ASIC 的熱情，而三星電子先進制程的價格、產能優勢在這波行情下成為吸引下單的重要動力。 發表于：2/21/2025 消息稱臺積電對獨立經營或參股英特爾晶圓廠毫無興趣 2月21日消息，據美國財經網站Quartz報導，針對臺積電將控制或參股英特爾晶圓廠的傳聞，長期關注臺灣半導體產業的新聞平臺Culpium創辦人高燦鳴（Tim Culpa）表示，臺積電并未有意愿入股英特爾，因為無論是獨立經營或合資英特爾晶圓廠，都毫無吸引力。 發表于：2/21/2025 ?…21222324252627282930…?
