EDA與制造相關文章 三星兩個半導體工廠被曝按下暫停鍵 三星韓美半導體工廠被曝按下暫停鍵 發表于：9/27/2024 新存科技發布國內最大64Gb單芯片容量3D新型存儲器芯片NM101 新存科技發布國內最大64Gb單芯片容量3D新型存儲器芯片NM101 發表于：9/27/2024 美光宣布今明兩年HBM產能已銷售一空 9月25日，存儲芯片大廠美光科技于美股盤后公布了截至自然年2024年8月29日的2024財年第四財季財報，同時披露了2025財年第一財季業績指引。 由于整體業績及指引均超預期，推動美光盤后股價上漲超過10%。截至當地時間26日美股收盤，美光股價大漲14.73%。 營收同比暴漲93.3% 得益于存儲需求回暖以及存儲芯片價格上漲，美光第四財季度營收為77.5億美元，同比暴漲93.3%，高于分析師預期76.6億美元，符合公司此前給出的74億至78億美元指引。 發表于：9/27/2024 新思科技和臺積電為萬億晶體管AI和多芯粒芯片設計鋪平了道路 9月25日，EDA及半導體IP大廠新思科技（Synopsys）宣布與晶圓代工龍頭大廠臺積電持續密切合作，基于臺積電最先進的工藝和 3DFabric 技術，提供了先進的 EDA 和 IP 解決方案，以加速 AI 和多芯粒設計的創新。AI 應用中無休止的計算需求要求半導體技術跟上步伐。從行業領先的 AI 驅動型 EDA 套件（由 Synopsys.ai? 提供支持以提高生產力和芯片結果），到促進向 2.5/3D 多芯粒架構遷移的完整解決方案，新思科技和臺積電幾十年來一直密切合作，為未來十億到萬億晶體管的 AI 芯片設計鋪平了道路。 發表于：9/27/2024 SK海力士宣布大規模量產12層HBM3E芯片 9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先開始量產 12 層 HBM3E 芯片，實現了現有 HBM 產品中最大的 36GB 容量；公司將在年內向客戶提供此次產品。 發表于：9/26/2024 三星電子代工業務遇困局不斷 三星電子代工業務遇困局：成熟制程水平落后、先進制程難獲訂單 發表于：9/26/2024 美國敲定芯片法案法案首份商業制造設施補貼 美國敲定芯片法案法案首份商業制造設施補貼，高壓半導體企業Polar獲1.23億美元 發表于：9/26/2024 英特爾首款18A芯片正式亮相 9月25日消息，據Tom's Hardware報道，處理器大廠英特爾于上周在俄勒岡州波特蘭市舉行的 Enterprise Tech Tour 活動中，首次展示了其代號為Clearwater Forest的Xeon芯片，這也是英特爾首款最新的Intel 18A制程芯片，不過該芯片可能需要等到明年下半年才能上市。 發表于：9/26/2024 英偉達Blackwell GPU已開始量產 英偉達Blackwell GPU已開始量產，預計四季度將創造100億美元營收 發表于：9/26/2024 消息稱NAND閃存芯片制造商鎧俠取消10月IPO計劃 消息稱 NAND 閃存芯片制造商鎧俠取消在 10 月進行 IPO 的計劃 發表于：9/25/2024 中國存儲模組制造商涌現大批拋貨潮 中國存儲模組制造商涌現大批拋貨潮 發表于：9/25/2024 臺積電高雄2nm晶圓廠即將完工 臺積電高雄2nm晶圓廠即將完工，預計12月開始裝機 發表于：9/25/2024 長江存儲成功用國產設備制造3D NAND芯片 9月20日消息，據媒體報道，長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產半導體設備替代部分美系設備。 長江存儲自研Xtacking架構可讓3D NAND的層數堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強的競爭優勢。 據悉，長江存儲已經使用中微半導體設備公司的蝕刻設備、北方華創的沉積與蝕刻設備，以及拓荊科技的沉積設備，成功制造出3D NAND閃存芯片。 發表于：9/24/2024 美國會通過芯片豁免法案 美國會通過芯片豁免法案 加快臺積電、英特爾在美建廠 發表于：9/24/2024 特種玻璃巨頭肖特發力半導體業務 2024年9月12日，中國上海 —— 全球高科技特種材料領軍企業肖特集團（SCHOTT AG）于9月12日舉辦媒體招待會，在第七屆進博會舉辦倒數50天之際，向中國市場更深入地介紹半導體行業特種玻璃材料的應用范圍、技術優勢、市場前景以及在中國的布局和發展。 發表于：9/24/2024 ?…58596061626364656667…?
