EDA與制造相關文章 英飛凌發布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列 【2024年7月9日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進一步推動數字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產品系列采用英飛凌自主研發的高性能 8 英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據此擴大CoolGaNTM的優勢和產能，確保其在GaN器件市場供應鏈的穩定性。據Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年復合增長率（CAGR）將達到46%。 發表于：7/10/2024 消息稱臺積電下周試生產2nm芯片 消息稱臺積電下周試生產2nm芯片 發表于：7/10/2024 2024年底CoWoS產能將達每月45000片晶圓 2024年底CoWoS產能將達每月45000片晶圓 發表于：7/10/2024 三星2nm制程與2.5D封裝獲日本Preferred Networks訂單 7月9日，韓國三星電子宣布，與日本AI芯片新創公司Preferred Networks達成合作，將為其提供2nm GAA制程以及2.5D Interposer-Cube S（I-Cube S）封裝服務。三星稱，其一站式服務解決方案將幫助Preferred Networks生產功能強大的AI芯片，滿足生成式AI市場算力需求。雙方還計劃展示下代數據中心和生成式AI計算市場的突破性AI芯片解決方案。 發表于：7/10/2024 蔚來汽車自研的智能駕駛芯片神璣NX9031已經流片 蔚來汽車自研的智能駕駛芯片「神璣NX9031」已經流片 發表于：7/10/2024 HBM芯片之爭愈演愈烈 HBM芯片之爭愈演愈烈 韓國芯片制造商SK海力士 (SK Hynix Inc.)與其全球同行一樣，基本上都是內部設計和生產半導體，包括高容量存儲器 (HBM)，不同于AI芯片，其需求正在爆炸式增長。 然而，對于下一代AI芯片HBM4，該公司計劃將芯片制造外包給代工廠或合同芯片制造商，最有可能的是臺灣半導體制造股份有限公司 (TSMC)。 進一步的是，這家韓國芯片制造商正在積極尋找頂尖人才，以推進自己的 HBM 技術并購外包。該公司的主要獵頭目標是誰？它的同城競爭對手三星電子公司。 發表于：7/10/2024 臺積電6/7nm產能利用率僅60% 臺積電6/7nm產能利用率僅60%，明年1月起或將降價10% 發表于：7/10/2024 臺積電將對3-5nm AI芯片漲價5%-10% 臺積電將對3-5nm AI芯片漲價5%-10%，客戶將接受漲價以保障產能 發表于：7/9/2024 2024年日本半導體設備銷售額將達42522億日元 2024年日本半導體設備銷售額將達42522億日元，同比增長15.0% 發表于：7/9/2024 SK集團全球首座玻璃基板工廠即將量產 SK集團全球首座玻璃基板工廠即將量產，下半年將完成客戶驗證 發表于：7/9/2024 ASML CEO：世界需要中國生產的傳統制程芯片 荷蘭光刻機巨頭阿斯麥CEO克里斯托弗·富凱（Christophe Fouquet）表示，包括德國汽車行業在內的芯片買家需要中國芯片制造商目前投資的傳統制程芯片。 富凱于今年4月接替退休的彼得·溫寧克，成為阿斯麥新任總裁兼CEO。他發表上述言論之際，有報道稱，歐盟正向歐洲芯片行業征求對中國擴大傳統制程芯片產能的看法。 發表于：7/9/2024 三星電子將為日本Preferred Networks生產2nm AI芯片 三星電子將為日本Preferred Networks生產2nm AI芯片 發表于：7/9/2024 6家中企被美商務部移出未經驗證清單 7月3日，美國商務部工業與安全局（Bureau of Industry and Security，BIS）修改了《出口管理條例》（EAR），宣布將8家實體從“未經驗證清單”（UVL）中移除，其中6家來自中國，1家來自阿聯酋，1家來自俄羅斯。 此次被移除出“未經驗證清單”的6家中國實體名單如下： Fulian Precision Electronics (Tianjin) Co., Ltd.(富聯精密電子（天津）有限公司，工業富聯旗下子公司) Nanning Fulian Fu Gui Precision Industrial Co., Ltd.(南寧富聯富桂精密工業有限公司，工業富聯旗下子公司) 發表于：7/8/2024 三星成立新的HBM團隊推進HBM3E和HBM4開發工作 7月8日消息，據媒體報道，三星公司近期宣布成立全新的“HBM開發團隊”，這一戰略舉措標志著三星在高性能內存（HBM）技術領域的雄心與決心邁入了一個新階段。 該團隊將專注于前沿技術的研發，特別是HBM3、HBM3E以及備受期待的下一代HBM4技術，旨在顯著提升三星在全球HBM市場的競爭力和市場份額。 發表于：7/8/2024 Intel第二代獨立顯卡將升級為臺積電N4 4nm工藝 就是不用自家工藝！Intel第二代獨立顯卡上臺積電4nm 將升級為臺積電N4 4nm工藝 發表于：7/8/2024 ?…78798081828384858687…?
