EDA與制造相關文章 2025年中國大陸半導體設備市將同比下滑6% 2月13日消息，根據路透社援引 TechInsights 網絡研討會的內容報道稱，由于制裁和產能過剩，今年對中國大陸的晶圓制造設備 （WFE）市場銷售額將下降。 TechInsights 的數據顯示，2025年中國對晶圓制造設備的投資額將從 2024 年的 410 億美元下降到 380 億美元，同比下滑 6%。近年來，中國的大部分晶圓制造設備投資都是由囤貨驅動的，因為中國大陸芯片制造商試圖在美國的額外限制生效之前獲得相關晶圓制造設備。但是隨著美國更嚴格的出口限制和芯片供應過剩，中國大陸晶圓制造設備投資將出現萎縮。 發表于：2/14/2025 TechInsights發布臺積電2nm和Intel 18A工藝細節對比 2月14日消息，近日，半導體研究機構TechInsights 和 SemiWiki 發布了英特爾和臺積電此前在“國際電子設備會議”（IEDM） 上披露的有關即將推出的Intel 18A（1.8nm級）和 臺積電N2（2nm級）工藝技術的關鍵細節。根據 TechInsights 的分析，Intel 18A 可以提供更高的性能，而臺積電N2可能會提供更高的晶體管密度。 發表于：2/14/2025 傳AMD考慮向三星下達EPYC霄龍處理器4納米IOD芯片代工訂單 消息稱 AMD 考慮向三星下達 EPYC 霄龍處理器 4 納米 IOD 芯片代工訂單 發表于：2/14/2025 日月光稱業界對AI芯片強勁需求帶動公司封裝領域業績 2 月 14 日消息，日月光投控昨日主持 2024 年第四季業績說明會，其中透露由于業界對 AI芯片先進封裝需求持續強勁，盡管該公司該季度封裝營收“環比下降個位數”，集團營收“環比下降十位數”，但整體表現優于往年。 發表于：2/14/2025 傳特朗普將修改部分芯片法案補貼條款 2月14日消息，據路透社援引兩位知情人士的話報道稱，美國白宮正尋求重新商談美國《芯片與科學法案》的補貼政策，并暗示將延后即將到來的補貼款支付。目前特朗普政府正在審查這些項目，計劃評價和改變目前要求后，重新談判部分交易。至于調整程度以及對已經確定的協議有何影響，目前還不清楚。 發表于：2/14/2025 三星平澤晶圓廠Exynos和中國訂單激增 2月13日消息，據韓國媒體報道，三星不僅取消了對平澤園區（P）晶圓代工生產線的“停機”措施，還計劃從今年6月起將生產線的運行率提升至最高水平。 發表于：2/14/2025 臺積電將最高至100億美元增資TSMC Global 2月12日，臺積電首次在美國亞利桑那州新廠召開了董事會，會后公布了此次董事會通過的七項決議，包括2024年財報、2024年第四季先進股息、2024年員工業績分紅、核準約171.41億美元資本預算、在不超過100億美元額度內增資旗下TSMC Global、確定6月3日舉行股東常會、高管變動等7項決議，但是并未出現外界預期的與擴大美國投資的相關決議。 發表于：2/13/2025 三星西安工廠將升級286層NAND Flash工藝 2月13日消息，據BusinessKorea韓國媒體報導，三星正計劃將其位于中國西安的工廠升級至286層堆疊的NAND Flash閃存制程技術，以應對當前的市場低迷且日益激烈的競爭狀態。 發表于：2/13/2025 傳美國計劃推動英特爾與臺積電成立合資晶圓代工廠 2月13日消息，據美國券商Baird分析師Tristan Gerra爆料，證券界傳聞美國政府正推動英特爾與臺積電組成合資公司，共同在美國擁有及發展多個晶圓代工廠項目。 發表于：2/13/2025 格芯2024全年晶圓出貨當量下降4% 2 月 12 日消息，格芯 GlobalFoundries 當地時間 11 日公布了 2024 年第四季度和全年的初步財務報告。這家專業芯片代工企業在去年實現 67.5 億美元（注：當前約 493.28 億元人民幣）凈收入，同比下滑 9%。 發表于：2/13/2025 泛林集團拒不配合美國半導體設備對華供應調查 當地時間2月11日，美國聯邦眾議院“美國與中國戰略競爭特別委員會”發布新聞稿指出，自2024年11月啟動對多家半導體設備大廠的調查之后，但是泛林集團（LAM）卻不配合調查，拒絕提供中國大陸客戶信息。 發表于：2/13/2025 美國重申將確保最強大的AI芯片在美國制造 2月12日消息，美國副總統萬斯（JD Vance）表示，最強大的人工智能（AI）芯片將會堅持在美國設計與制造。而這一消息也引起了美國投資人的關注，推動英特爾11日的美股盤中交易大漲超過6%，隨后的盤后交易又上漲了0.62%。 發表于：2/13/2025 傳臺積電將繼續擴大對美國投資 650億美元還不夠，傳臺積電將繼續擴大對美國投資！ 發表于：2/12/2025 三星電子正調整1c nm DRAM內存設計以保障良率 消息稱三星電子調整1c nm DRAM內存設計：犧牲外圍密度以保障良率 發表于：2/12/2025 消息稱三星和SK海力士減產NAND應對供應過剩問題 消息稱三星和SK海力士減產NAND應對供應過剩問題 2 月 11 日消息，據外媒 ETnews 今日報道，三星電子與 SK 海力士已經開始減少 NAND 閃存的產量，這是為了應對供應過剩，采取了通過工藝轉換實現的“自然減產”措施。 發表于：2/12/2025 ?…24252627282930313233…?
